當(dāng)前，隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷微縮，先進(jìn)的集成電路器件已從平面向三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，集成電路制造工藝正變得越來(lái)越復(fù)雜，往往需要經(jīng)過(guò)幾百甚至上千道的工藝步驟。對(duì)于先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造，每經(jīng)過(guò)一道工藝，硅片表面都會(huì)或多或少的存在顆粒污染物、金屬殘留或有機(jī)物殘留等，器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜性，使得半導(dǎo)體器件對(duì)顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數(shù)量越來(lái)越敏感。
對(duì)硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技術(shù)提出了更高的要求，其關(guān)鍵點(diǎn)在于克服污染微顆粒與基材之間極大的吸附力，目前很多半導(dǎo)體廠家的清洗方式都是酸洗、人工擦拭，效率慢不說(shuō)，還會(huì)產(chǎn)生二次污染。那目前什么樣的清洗方式比較適合在半導(dǎo)體產(chǎn)品上的清洗呢?激光清洗是目前來(lái)說(shuō)比較合適的一種方式，當(dāng)激光掃描過(guò)去，材料表面的污垢都被清除，而且對(duì)于縫隙中的污垢都可以輕松得去除，不會(huì)刮花材料表面，也不會(huì)產(chǎn)生二次污染，是一種放心的選擇。
另外，隨著集成電路器件尺寸持續(xù)縮小，清洗工藝過(guò)程中的材料損失和表面粗糙度成為必須關(guān)注的問(wèn)題，將微粒去除而又沒(méi)有材料損失和圖形損傷是最基本的要求，激光清洗技術(shù)具有非接觸性、無(wú)熱效應(yīng)，不會(huì)對(duì)被清洗物體產(chǎn)生表面損壞，且不會(huì)產(chǎn)生二次污染等傳統(tǒng)清洗方法所無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，是解決半導(dǎo)體器件污染最佳的清洗方法。
